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微电子所6500V超高压绝缘栅双极晶体管得突破

日期:2019-3-14(原创文章,禁止转载)

微电子所6500V超高压绝缘栅双极晶体管得突破

中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)研制方面,继上半年1700V系列之后,近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500VTrenchFSIGBT(沟槽栅场截止型)产品,在国际知名晶圆代工厂华虹NEC8寸制造工艺平台上首轮流片顺利完成,测试结果显示阻断电压达7100V以上,符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电子所IGBT研制方面迈上新的高度,我国自主IGBT芯片从设计到工艺的整体贯通又上了一个新的台阶。    IGBT产品针对不同的应用领域按阻断电压等级进行分类,其中6500V系列是目前市哪个医院看小儿癫痫好场应用中电压等级最高的产品,主要用于电网、高铁、工业变频等战略产业领域。目前世界上只有欧洲、日本等极少数厂商拥有6500V的产品和技术,从器件结构设计到制造工艺,难点很多且难度较大,其中最主要难点之一就是如何使阻断电压达到6500V以上。    微电子所与战治疗癫痫专业医院略合作伙伴华虹NEC紧密合作,共同攻关,采用当前国际最先进的沟槽栅场截止(TrenchgateFiledSt北京癫痫可以治愈吗op)结构和制造工艺,首轮流片既命中目标。该研制获得了株洲南车时代电气有限公司(以下简称南车时代电气)的鼎力支持,由南车时代电气完成了6500VIGBT芯片封装及测试。    依托于企业,服务企业,通过更加紧密相互融合的产学研合作新模式,独立自主开展结合国情的科技创新,推动产业快速发展,是贵阳专业治疗癫痫病微电子所支撑服务产业的指引方针。微电子所在功率器件研究和研制方面具有20多年的技术积累和基础,实力雄厚。合作伙伴华虹NEC拥有成熟先进的功率分立器件制造工艺,尤其性能稳定、高可靠性的Trench技术独具特色。双方团队合作紧密、无缝沟通,相继开发了1200V/1700VTrenchNPT,  6500VTrenchFSIGBT工艺平台和相关系列产品,取得了国内领先优势。后续双方将加快完善系列产品参数和工艺优化,并达到相应可靠性等级,早日实现国产自主IGBT全系列产品的产业化。

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